Tomographie laser à balayage : Application au test de qualification des semi-conducteurs
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Académie de Montpellier, Université Montpellier II des Sciences et Techniques du Languedoc, Montpellier
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La tomographie laser à balayage est une nouvelle technique non destructive d’imagerie numérique. Elle est ici appliquée avec succès à l’inspection à trois dimensions des défauts dans différents matériaux semi-conducteurs. L’auteur présente une réalisation d’un prototype de tomographie, et quelques résultats typiques d’analyse sur les composés III-V, le silicium et CdTe, obtenus avec cet instrument informatisé.
Description
Keywords
Composant, Signaux, Système, Informatique industrielle, Tomographie laser, Traitement d'image, Contraste, Banque d'image, Haute résolution, Microscopie, Microprecipité, Silicium, Composé III-V