Tomographie laser à balayage : Application au test de qualification des semi-conducteurs

Abstract

La tomographie laser à balayage est une nouvelle technique non destructive d’imagerie numérique. Elle est ici appliquée avec succès à l’inspection à trois dimensions des défauts dans différents matériaux semi-conducteurs. L’auteur présente une réalisation d’un prototype de tomographie, et quelques résultats typiques d’analyse sur les composés III-V, le silicium et CdTe, obtenus avec cet instrument informatisé.