Tomographie laser à balayage : Application au test de qualification des semi-conducteurs

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dc.contributor.authorBaroudi, Ahmed
dc.date.accessioned2009-05-18T10:43:54Z
dc.date.accessioned2025-12-09T14:10:41Z
dc.date.available2009-05-18T10:43:54Z
dc.date.issued1989-05-25
dc.description.abstractLa tomographie laser à balayage est une nouvelle technique non destructive d’imagerie numérique. Elle est ici appliquée avec succès à l’inspection à trois dimensions des défauts dans différents matériaux semi-conducteurs. L’auteur présente une réalisation d’un prototype de tomographie, et quelques résultats typiques d’analyse sur les composés III-V, le silicium et CdTe, obtenus avec cet instrument informatisé.en
dc.description.collaboratorSavelli, M. (Président)
dc.description.collaboratorVerdone, M. (Jury)
dc.description.collaboratorFillard, J.P. (Jury)
dc.description.collaboratorJourneau, G. (Jury)
dc.description.collaboratorVan Rossum, M. (Jury)
dc.description.collaboratorFroelicher, M. (Jury)
dc.format.extent19968 bytes
dc.format.mimetypeapplication/msword
dc.identifier.urihttps://toubkal.imist.ma/handle/123456789/2997
dc.identifier.urihttps://doi.org/10.83129/toubkal-4988
dc.language.isofren
dc.publisherAcadémie de Montpellier, Université Montpellier II des Sciences et Techniques du Languedoc, Montpellieren
dc.subjectComposanten
dc.subjectSignauxen
dc.subjectSystèmeen
dc.subjectInformatique industrielleen
dc.subjectTomographie laseren
dc.subjectTraitement d'imageen
dc.subjectContrasteen
dc.subjectBanque d'imageen
dc.subjectHaute résolutionen
dc.subjectMicroscopieen
dc.subjectMicroprecipitéen
dc.subjectSiliciumen
dc.subjectComposé III-Ven
dc.titleTomographie laser à balayage : Application au test de qualification des semi-conducteursen

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