Utilisation du modèle exponentiel de mobilité effective pour la caractérisation de la rugosité de surface et des résistances séries dans les transistors MOS à canal très court

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dc.contributor.authorEl Abbassi, Ahmed
dc.date.accessioned2010-05-20T10:47:24Z
dc.date.accessioned2026-01-15T14:42:38Z
dc.date.available2010-05-20T10:47:24Z
dc.date.issued2002-07-13
dc.description.collaboratorSidki, M. (Président)
dc.description.collaboratorRaïs, K. (Directeur de la thèe)
dc.description.collaboratorBelahrach, H. (Rapporteur)
dc.description.collaboratorBendada, E. (Rapporteur)
dc.description.collaboratorBelattar, S. (Rapporteur)
dc.description.collaboratorRmaily, R. (Examinateur)
dc.description.laboratoireCaractérisation des Composants à semi-conducteurs, (LAB.)
dc.format.extent26112 bytes
dc.format.mimetypeapplication/msword
dc.identifier.urihttps://toubkalpreprod.imist.ma/handle/123456789/5915
dc.language.isofren
dc.publisherUniversité Chouaib Doukkali, Faculté des Sciences, El Jadidaen
dc.relation.ispartofseriesTh-537/ABB
dc.subjectSciences physiquesen
dc.subjectMicroélectroniqueen
dc.subjectModèle exponentielen
dc.subjectMobilité effectiveen
dc.subjectRugosité de surfaceen
dc.subjectTransistor MOSen
dc.titleUtilisation du modèle exponentiel de mobilité effective pour la caractérisation de la rugosité de surface et des résistances séries dans les transistors MOS à canal très courten

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