Utilisation du modèle exponentiel de mobilité effective pour la caractérisation de la rugosité de surface et des résistances séries dans les transistors MOS à canal très court
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Université Chouaib Doukkali, Faculté des Sciences, El Jadida
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Sciences physiques, Microélectronique, Modèle exponentiel, Mobilité effective, Rugosité de surface, Transistor MOS