Etude de la croissance en films minces de céramiques SiNxCy : H par dépôts chimiques en phase vapeur à partir d'organosilazanes

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dc.contributor.authorHatim, Zineb
dc.date.accessioned2008-07-23T15:51:49Z
dc.date.accessioned2025-12-09T14:15:48Z
dc.date.available2008-07-23T15:51:49Z
dc.date.issued1987-12-02
dc.description.collaboratorDabosi, F. (Président)
dc.description.collaboratorDunogues, J. (Membre)
dc.description.collaboratorBouix, J. (Membre)
dc.description.collaboratorDucarroir, M. (Membre)
dc.description.collaboratorMorancho, R. (Membre)
dc.description.collaboratorMaury, F. (Membre)
dc.format.extent19968 bytes
dc.format.mimetypeapplication/msword
dc.identifier.urihttps://toubkal.imist.ma/handle/123456789/1373
dc.identifier.urihttps://doi.org/10.83129/toubkal-5221
dc.language.isofren
dc.publisherInstitut National Polytechnique, Toulouseen
dc.subjectPropriété des précurseursen
dc.subjectParamétrique de la croissanceen
dc.subjectPhysico-chimiqueen
dc.subjectMorphologiqueen
dc.subjectMicroscopie électroniqueen
dc.subjectAnalyse de la phase gazeuseen
dc.subjectSciences des matériaux
dc.subjectHydrogèneen
dc.subjectFilm
dc.subjectMécanisme de croissanceen
dc.titleEtude de la croissance en films minces de céramiques SiNxCy : H par dépôts chimiques en phase vapeur à partir d'organosilazanesen

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