Contribution à l'étude de phénomènes de transport dans les couches minces de Ge0,08 Te0,92 amorphes

Abstract

Cette étude porte d’une part, sur la mesure de la conductivité d’obscurité d’alliage semiconducteur amorphe de germanium tellure (8 % at de Ge) obtenu en couches minces. Et d’autre part sur l’analyse du rôle joué par un éclairement sur la structure et la conductivité de ce matériau. A partir de ces mesures, on a déduit la position du niveau de Fermi et la largeur des états localisés du bas de la bande interdite de l’alliage. On montre que l’énergie de formation d’une paire à valence alternée est indépendante de la nature du matériau. Enfin des effets photostructuraux réversibles à base température et pour certaines longueurs d’ondes ont été observés.