Toubkal : Le Catalogue National des Thèses et Mémoires
Étude microscopique de l’effet cathodoplastique dans un semi-conducteur A(II)- b (VI) : Zns
dc.contributor.author | Faress, Abdelilah | |
dc.description.collaborator | Derkaoui, J. (Président) | |
dc.description.collaborator | Benali, A. (Examinateur) | |
dc.description.collaborator | Farvacque, J.L. (Examinateur) | |
dc.description.collaborator | George, A. (Examinateur) | |
dc.description.collaborator | Roubi, L. (Examinateur) | |
dc.description.collaborator | Thalal, A. (Examinateur) | |
dc.description.collaborator | Vanderschaeve, G. (Examinateur) | |
dc.date.accessioned | 2011-03-03T11:38:21Z | |
dc.date.available | 2011-03-03T11:38:21Z | |
dc.date.issued | 1993-10-08 | |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/123456789/7797 | |
dc.description.abstract | La mobilité de dislocations individuelles sous excitation électronique a été étudiée, entre la température ambiante et 200°C, par déformation in-situ dans un microscope électronique en transmission. De nombreuses sources de dislocations sont observées ; l’analyse qualitative et quantitative de la propagation des dislocations montre que : - Les dislocations glissent de manière continue, en restant relativement parallèles aux rangées denses (110). - A contrainte, température et intensité données, la vitesse des dislocations est proportionnelle à leur longueur effective (effet de longueur). - La mobilité des dislocations est fortement dépendante de l’intensité du faisceau électronique (effet cathodoplastique) et de la température. Ceci montre que les dislocations mobiles sont soumises à des forces de friction de réseau (régime de Peierls). L’augmentation de mobilité observée sous l’effet du faisceau d’électrons est reliée à la réduction d’énergie d’activation du glissement des dislocations soubises à un potentiel de Peierls de seconde espèce. On montre qu’elle correspond à une diminution de l’énergie de formation des décrochements élémentaires, provement de la recombinaison par le faisceau d’électrons. | fr_FR |
dc.publisher | Université Mohamed premier, Faculté des Sciences, Oujda | fr_FR |
dc.relation.ispartofseries | Th-537.622/FAR; | |
dc.subject | Semi-conducteur A(II)- b (VI) | fr_FR |
dc.subject | ZnS | fr_FR |
dc.subject | Cathodoplasticité | fr_FR |
dc.subject | Dislocation | fr_FR |
dc.subject | Déformation in situ | fr_FR |
dc.subject | Microscopie électronique en transmission | fr_FR |
dc.subject | Physique | fr_FR |
dc.title | Étude microscopique de l’effet cathodoplastique dans un semi-conducteur A(II)- b (VI) : Zns | fr_FR |
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