Caractérisation de l'interface Ga₁-xAlxSb/oxyde : SiO₂, MgO,Al₂O₃ et leurs alliages

Abstract

On étudie les propriétés électriques des couches d’oxydes : SiO₂, Al₂O₃, MgO et de leurs alliages binaires déposés sur les antimoniures : GaSb dégénéré et Ga₀,₉₆Al₀,₀₄Sb. Les oxydes sont fabriqués par coévaporation thermique réactive au canon à l’électron. Sur le GaSb dégénéré, on obtient des résistivités de l’ordre de 10¹⁴cm. Les conductions électriques alternative et continue en fonction de la température sont interprétées par des modèles similaires à ceux de Poole-Frenkel. Sur le Ga₁₋xAlxSb de type n, on observe un déplacement du niveau de Fermi en fonction de la tension de grille. Des caractéristiques C(V) on déduit la concentration des impuretés dans le substrat. La dispersion en fréquence de la capacité, très forte an accumulation, est due au blocage du niveau de Fermi cette anomalie est attribuée à la présence d’une bande d’états d’interface accepteurs.