Propriétés physiques des structures métal/isoalnt/semiconducteur réalisées sur InP(n) à l'aide d'un oxyde natif plasma

Abstract

Ce mémoire peut-être résumé sous trois aspects. Le premier aspect technologique est relatif à la passivation du phosphure d’Indium dans un plasma RF d’oxygène, il a pour objet de contribuer à la formation d’un diélectrique mince de 100 à 200 Å à la surface du phosphure d’Indium en relation avec les paramètres principaux de la décharge. Le deuxième aspect concerne la caractérisation électrique des structures MIS élaborées à l’aide des mesures (C-V), (G-V) et des mesures de spectroscopie de niveaux profonds (DLTS-DDLTS). D’autres techniques de caractérisation physico-chimiques : Auger et ESCA, ont été appliquées aux couches pour déterminer la nature et la composition du diélectrique élaboré. Le dernier aspect concerne l’élaboration d’un schéma équivalent de la structure MIS tenant compte des courants de fuite pour expliquer la dispersion en fréquence mise en évidence sur les courbes (C-V).