Etude optique et électrique du silicium jusqu'à 18 GPA : Cristallogenèses et caractérisation des phases Si III et Si IV, Stables à l'ambiante

Toubkal : Le Catalogue National des Thèses et Mémoires

dc.contributor.author	Mokhtari, El Hassane
dc.description.collaborator	de Gennes, P.G. (Président)
dc.description.collaborator	Besson, J.M. (Examinateur)
dc.description.collaborator	Galecki, D. (Examinateur)
dc.description.collaborator	Gonzalez, J. (Examinateur)
dc.description.collaborator	Leger, J.M. (Examinateur)
dc.description.collaborator	Maneval, J.P. (Examinateur)
dc.date.accessioned	2008-12-24T12:14:48Z
dc.date.available	2008-12-24T12:14:48Z
dc.date.issued	1987-03-31
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/123456789/2223
dc.format.extent	19968 bytes
dc.format.mimetype	application/msword
dc.language.iso	fr	en
dc.publisher	Université Denis Diderot - Paris VII, Paris	en
dc.subject	Sciences des matériaux	en
dc.subject	Etude optique	en
dc.subject	Etude électrique	en
dc.subject	Silicium	en
dc.subject	18 GPA	en
dc.subject	Cristallogenèse	en
dc.subject	Si III	en
dc.subject	Si IV	en
dc.subject	Ambiante	en
dc.subject	Physique des milieux condensées
dc.title	Etude optique et électrique du silicium jusqu'à 18 GPA : Cristallogenèses et caractérisation des phases Si III et Si IV, Stables à l'ambiante	en

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