Etude de nouveaux précurseurs organométalliques pour l’élaboration de couches épitaxiques d’arséniure de gallium

Abstract

Dans les recherches conduites sur la croissance épitaxique de matériaux semi-conducteurs III-V, en phase vapeur à partir de molécules organométalliques, de nouveaux précurseurs originaux ; (C6F5)₃-nMenGa.AsEt₃, (n=0 ou 2) et [C1R₂Ga.AsEt₂]₂CH₂ (R= Me, Et), caractérisés par l’existence d’une liaison de coordination entre le gallium (élément III) et l’arsenic (élément V), ont été étudiés. La synthèse et l’étude physicochimique de ces molécules font l’objet du premier chapitre, les résultats exposés au troisième chapitre et enfin de l’ensemble de ces résultats nous avons envisagé un mécanisme chimique susceptible d’intervenir au cours du dépôt et cette étude est présentée au quatrième chapitre. Au cours de ce travail nous avons montré : - La possibilité de réaliser une couche épitaxique d’arséniure de gallium à partir d’une seule molécule contenant à la fois les éléments gallium et arsenic chimiquement liés l’un à l’autre par une liaison de coordination. - Le rôle que peut louer un groupement élactroattracteur dans la stabilité de cette liaison de coordination - Et enfin nous avons pu confirmer le mécanisme chimique proposé pour la série C1R₂Ga.AsEt₃.