Spectroscopie par modulation de longueur d'onde de semiconducteurs ternaires à structure chalcopyrite ( CdGeAs₂, ZnSiP₂ et ZnSiAs₂)

Abstract

CdGeAs₂, ZnSiP₂ et ZnSiAs₂ sont des semiconducteurs ternaires à structure chalcopyrite. Nous les étudions en transmission ou en transmission modulée et, pour la première fois, en réflexion modulée en longueur d’onde. En comparant nos résultats expérimentaux à ceux obtenus par différentes méthodes spectroscopiques, nous montrons l’intérêt de la modulation de longueur d’onde dans la gamme d’énergie où nous avons travaillé. Nous rappelons les étapes de calculs des structures de bandes par la méthode du pseudopotentiel empirique. Nous refaisons au laboratoire presque tous les derniers de ces calculs et nous les confrontons à nos résultats expérimentaux. Parmi nos composés, il n’existe qu’une structure de bandes qui tienne compte de l’interaction spin-orbitre, celle de CdGeAs₂. Elle nous permet d’interpréter presque tous nos résultats expérimentaux sur ce composé. Ce fait nous conduit à dire qu’il faudrait étendre ce calcul à d’autres points et directions de la zone de Brillouin que les points Г, T et N, et tenir compte de la non localité du pseudopotentiel. Un travail alors analogue reste à faire sur ZnSiP₂ et sur ZnSiAs₂.