Contribution à l'étude par spectroscopie de photoélectrons excités par rayons X, des surfaces de semi- conducteurs III - V : - Oxygène implanté dans GaAs, - Composés oxygénés et oxynitrurés du phosphore

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dc.contributor.authorAgliz, Driss
dc.date.accessioned2008-11-27T10:21:00Z
dc.date.accessioned2025-12-09T14:16:21Z
dc.date.available2008-11-27T10:21:00Z
dc.date.issued1987-07-07
dc.description.collaboratorMeinnel, M. (Président)
dc.description.collaboratorLe Bihan, M. (Examinateur)
dc.description.collaboratorLissillour, M. (Examinateur)
dc.description.collaboratorMarchand, M. (Examinateur)
dc.description.collaboratorPriol, M. (Examinateur)
dc.description.collaboratorFavennec, M. (Examinateur)
dc.description.laboratoireS.P.M, (UFR)
dc.format.extent19968 bytes
dc.format.mimetypeapplication/msword
dc.identifier.urihttps://toubkalpreprod.imist.ma/handle/123456789/1927
dc.language.isofren
dc.publisherUniversité de Rennés I, Rennesen
dc.subjectSpectroscopieen
dc.subjectPhotoélectronen
dc.subjectRayon Xen
dc.subjectSemi-conducteuren
dc.subjectOxygèneen
dc.subjectGaAsen
dc.subjectPhosphoreen
dc.titleContribution à l'étude par spectroscopie de photoélectrons excités par rayons X, des surfaces de semi- conducteurs III - V : - Oxygène implanté dans GaAs, - Composés oxygénés et oxynitrurés du phosphoreen

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