Préparation et propriétés dans l'infrarouge lointain de films épitaxiques d'arsenture de gallium

Abstract

Ce mémoire comprend deux parties : la première concerne la préparation de lames minces orientées de GaAs par transport en phase vapeur à courte distance (CSVT) et des GETS (Germination épitaxique dans des trous submicroscopiques) adaptée, où on utilise comme couche intermédiaire un film de carbone percé de bandes nues parallèles équidistantes de 50 µm et larges de 2,5 µm où se fait la germination épitaxique. Dans la deuxième partie, on étudie la réflexion dans l’infrarouge lointain (20-550 cm-¹) des couches homoépitaxiques réalisés au CENT de LANNION par jets moléculaires et au laboratoire par CSVT. L’ajustage des spectres est effectué par le modèle classique de Drude – Zener et Kronig qui prend en compte les électrons libres.