Conduction électrique dans les couches minces polysilicium implantées bore et dans les couches d'inversion à potentiel module

Abstract

Le manuscrit est divisé en deux parties: 1- La première partie présente une étude comparative des propriétés électriques des couches polysilicium implantées bore et recuites soit de façon conventionnelle (RTC), soit de façon rapide (RRI). Cette étude a permis de mettre en évidence l’existence de joints de grain électriquement inactifs dans le cas du recuit rapide isotherme. 2- La deuxième partie présente une caractérisation électrique de transistors MOS-HALL irradiés aux électrons. L’irradiation a été faite suivant un réseau de traits parallèles et perpendiculaires à la direction drain-source de façon à obtenir un profil de potentiel proche de celui du matériau polycristallin idéalisé. Cette étude a constitué une approche quantitative de la conduction électrique dans les semiconducteurs polycristallins.