Contribution à l'étude des structures photovoltaïques : Silicum_oxydes mixtes d'étain et d'indium

Abstract

Les cellules solaires du type diode Schottky : SnO₂ ou ITO-Si(N⁺)-Si(P) fabriquées au laboratoire, ont des rendements de conversion sous AM1, voisins de 1O et 14% respectivement. Différentes techniques sont utilisées pour la fabrication de ces structures, et une étude des caractéristiques optoélectronique sous éclairement et à l’obscurité, ainsi qu’à différentes températures, permet de mettre en évidence l’influence des différents paramètres de fabrication sur les propriétés photovoltaïques de ces cellules. Une modélisation basée sur la résolution numérique des équations de transport est présentée, elle permet de rendre compte des caractéristiques courant-tension, présentant un effet de suppression du photo-courant.