Étude microscopique de l’effet cathodoplastique dans un semi-conducteur A(II)- b (VI) : Zns

Abstract

La mobilité de dislocations individuelles sous excitation électronique a été étudiée, entre la température ambiante et 200°C, par déformation in-situ dans un microscope électronique en transmission. De nombreuses sources de dislocations sont observées ; l’analyse qualitative et quantitative de la propagation des dislocations montre que : - Les dislocations glissent de manière continue, en restant relativement parallèles aux rangées denses (110). - A contrainte, température et intensité données, la vitesse des dislocations est proportionnelle à leur longueur effective (effet de longueur). - La mobilité des dislocations est fortement dépendante de l’intensité du faisceau électronique (effet cathodoplastique) et de la température. Ceci montre que les dislocations mobiles sont soumises à des forces de friction de réseau (régime de Peierls). L’augmentation de mobilité observée sous l’effet du faisceau d’électrons est reliée à la réduction d’énergie d’activation du glissement des dislocations soubises à un potentiel de Peierls de seconde espèce. On montre qu’elle correspond à une diminution de l’énergie de formation des décrochements élémentaires, provement de la recombinaison par le faisceau d’électrons.