Caractéristiques C-V des structures mis à base de semiconducteur GaAs passive par (NH₄)₂S : Modélisation & Simulation

Abstract

Dans cette thèse nous avons présenté les mesures C-V des structures MIS à base de semiconducteur GaAs passive par (NH₄)S₂ : modélisation & simulation, le but de la modélisation est d’acquérir une connaissance et maîtrise des phénomènes physiques liés à la miniaturisation de la structure MIS. Nous avons déterminé à VG donnée le potentiel de surface, en effet la détermination du potentiel de surface, à partir du potentiel de grille VG ne peut être obtenue de façon analytique (équations non linéaires) mais doit être résolue itérativement ou à l’aide d’un programme par simulink sous Matlab). Nous avons aussi déterminé l’équation de la capacité total donnant C(V), et à partir de cette équation nous avons élaboré un programme qui nous a permis de tracer la courbe théorique de variation de la capacité C d’une structure MIS idéale d’un semiconducteur de type "p " à basse et haute fréquence en fonction de la tension V appliquée. Nous avons aussi présenté une technique de passivation de GaAs basée sur la déposition par PECVD basse fréquence d’une couche mince de nitrure de silicium, et nous avons cité les avantages du plasma basse fréquence (BF). Les structures MIS fabriquées dans ce travail démontrant que le plasma basse fréquence permet d’assurer une meilleure passivation de la surface de GaAs, comparativement ai plasma haute fréquence. L’excellence modulation du potentiel de surface démontre la bonne qualité de l’interface (Si₃N₄/GaAs) et confirme les résultats obtenus sur la capacité MIS.