La tenue en tension et le calibre en courant du transistor M.O.S vertical dans la gamme des moyennes tensions ( 300 à 1000 volts )

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dc.contributor.authorGharbi, Mourad
dc.date.accessioned2009-06-01T14:24:35Z
dc.date.accessioned2025-12-09T14:12:03Z
dc.date.available2009-06-01T14:24:35Z
dc.date.issued1985-10-16
dc.description.abstractLa tenue en tension et le calibre maximal en courant des transistors MOS de puissance verticaux (V.D.Mos) prévus pour fonctionner en hautes tensions (VDBR »200V) sont étudiés. Les diverses zones de localisation éventuelles du phénomène de claquage sont considérées : périphéries du transistor, zone frontale sous la source, zone intercellulaire sous la grille, diélectrique de grille. Les relations, liant tensions d’avalanche ou de claquage aux paramètres géométriques ou physiques, sont établies pour chacune de ces régions ; l’influence de la distance entre les cellules est un paramètre important de l’analyse pour une tenue en tension donnée, le calibre maximal en courant est enfin déterminé en fonction de la géométrie des sources.en
dc.description.collaboratorLacoste, R. (Président)
dc.description.collaboratorChante, J.P. (Examinateur)
dc.description.collaboratorLeturcq, Ph. (Examinateur)
dc.description.collaboratorMartinez, A. (Examinateur)
dc.description.collaboratorRossel, P. (Examinateur)
dc.description.collaboratorVertongen, B. (Examinateur)
dc.format.extent19968 bytes
dc.format.mimetypeapplication/msword
dc.identifier.urihttps://toubkalpreprod.imist.ma/handle/123456789/3366
dc.language.isofren
dc.publisherUniversité Paul Sabatier - Toulouse III (Sciences), Toulouseen
dc.subjectElectroniqueen
dc.subjectTransistor MOSen
dc.subjectPuissanceen
dc.subjectHaute tensionen
dc.titleLa tenue en tension et le calibre en courant du transistor M.O.S vertical dans la gamme des moyennes tensions ( 300 à 1000 volts )en

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