Caractérisation photoélectrique de dispositifs Schottky et homjonctions à base de GaAISb

Abstract

Les paramètres photoélectriques de couches de Ga1­xAIxSb n (gap et dopage des couches, coefficient d’absorption, durée de vie et longueur de diffusion des porteurs) ont été déduits de la caractérisation de diodes Schottky et homojonctions réalisées à partir de ces couches fabriquées par épitaxie liquide sur substrat GaSb. Les valeurs de x considérées sont 0.15 et 0.06 en vue de la photodétection proche infrarouge. Le dopage limite atteint de façon reproductible : n = 3x10¹⁶ cm‾³ permet d’envisager la réalisation d’un photodétecteur (1.55 um) présentant à -10V une sensibilité de 1.49A/Watt et un courant d’obscurité de 8.9x10‾³A/cm². Le fonctionnement du photodétecteur en régime d’avalanche n’est pas envisageable sans réduction du dopage des couches (n≈5x10¹cm‾³. Des anomalies électriques et photoélectriques associées à la présence d’une barrière de surface ont été mises en évidence.