L'effet photoréfractif dans les semi-conducteurs II-VI CdTe : V et l'alignement de bandes dans l'hétérostructure ZnSSe/CdZnSe

Abstract

Dans ce travail, nous avons étudié l’effet photoréactif dans les semi-conducteurs II-VI CdTe dopé Vanadium. Plus précisément l’existence d’une fréquence optimale pour laquelle le gain photoréactif est maximal et au-delà de cette fréquence le gain chute. Pour réaliser cette étude nous avons utilisé le modèle de transport de charge à un seul niveau profond, le modèle de transport de charge à deux niveaux un profond e un peur profond et le modèle de transport de charge à deux niveaux profonds. En appliquant ces modèles, nous avons calculé numériquement le gain photoréactif en fonction de la fréquence du champ appliqué. Le comportement fréquentiel trouvé expérimentalement, n’a pas pu être obtenu ni avec le modèle à un seul niveau profond ni avec celui de deux niveaux un profond et un peu profond. Par contre, le modèle à deux niveaux profonds a permis l’explication de ce comportement fréquentiel. En plus, dans ce travail nous nous sommes intéressés à l’étude des propriétés de l’hétérostructure CdZnSe/ZnSSe appartenant aux matériaux fabriquant les diodes Lasers émettant dans le bleu. Dans ce but nous avons présenté des spectres photocourant. Nous avons fait une étude numérique pour calculer les états localisés dans le puits et dans la barrière ainsi que les transitions possibles entre ces états. Pour savoir quelles sont les transitions les plus probables nous avons fait appel au calcul de la probabilité de transition. Les résultats numériques obtenus à partir de cette étude ont permis de donner un modèle d’alignement de bandes qui explique les différents pics expérimentaux données dans le spectre photocourant.