Optical and thermodynamic properties of GaAs and Si 1−x GeX quantum dots fo terahertz applications

dc.contributor.advisorEl Mustapha FEDDI, PES, Ecole Nationale Supérieure d'Arts/Métiers, Université Mohammed V, Rabat
dc.contributor.authorMohamed KRIA
dc.date.accessioned2024-04-24T10:11:43Z
dc.date.accessioned2026-01-24T08:39:18Z
dc.date.available2024-04-24T10:11:43Z
dc.date.issued2022
dc.description.abstractLe présent travail de thèse est une recherche sur la compréhension des propriétés optoélectroniques/thermodynamiques des boîtes quantiques sous différentes formes pour des applications dans le domaine de Térahertz (THz). Afin de déterminer les propriétés optoélectroniques, nous avons étudié les états d’énergie/les éléments de matrice de transition entre les différents états liés aux énergies de transition de l’électron dans les nanostructures pour différents géométries de type coeur/coquille cylindrique, semi-oblate/semi-prolate sous différentes perturbations : confinement quantique, présence d’une impureté, pression/température. Dans la première partie, nous avons étudié les propriétés optoélectroniques/thermodynamiques des points quantiques de coeur/coquille cylindrique du matériau GaAs. Dans le cadre de l’approximation de la masse effective, nous résolvons numériquement l’équation de Schrödinger relative à une particule par la méthode variationnelle de Ritz. Après avoir déterminé les propriétés électroniques, nous avons étudie les propriétés optiques linaires/non linéaires tels que le coefficient d’absorption/l’indice de réfraction. Afin de déterminer les propriétés thermodynamiques nous résolvons l’équation de Schrödinger analytiquement dans le modèle à deux bandes/nous déterminons les énergies de toutes les états excités, nous calculons par la suite le spectre d’énergie/ensuite utilisé dans la détermination des propriétés thermodynamiques en utilisant la distribution de Boltzmann-Gibbs. Ce qui concerne les boites quantiques de type semi-oblate/semi-prolate du SiGe/Si étudiées dans la deuxième partie, nous avons utilisé la méthode des éléments finis pour déterminer les propriétés électroniques. Après avoir déterminé les propriétés électroniques nous avons calculé les coefficients optiques tels que le coefficient d’absorption, l’indice de réfraction, le second/le troisième harmonique de génération. A la fin de cette partie nous avons déterminé les propriétés thermodynamiques des nanostructures tels que semi-oblate/semi-prolate.
dc.description.laboratoireLAMCSCI, Laboratoire de Matière Condensée/Sciences Interdisciplinaires
dc.identifier.urihttps://toubkalpreprod.imist.ma/handle/123456789/33388
dc.language.isoeng
dc.publisherFaculté des Sciences de Rabatfr_FR
dc.subjectCorefr_FR
dc.subjectshell Quantum Dotsfr_FR
dc.subjectSemifr_FR
dc.subjectOblatefr_FR
dc.subjectSemifr_FR
dc.subjectProlatefr_FR
dc.subjectTransition energiesfr_FR
dc.subjectOptical absorption coefficientfr_FR
dc.subjectRefractive index changefr_FR
dc.subjectSHGfr_FR
dc.subjectTHGfr_FR
dc.subjectTerahertzfr_FR
dc.subjectEntropyfr_FR
dc.subject.otherScience de la Matière Physique
dc.titleOptical and thermodynamic properties of GaAs and Si 1−x GeX quantum dots fo terahertz applicationsfr_FR
dc.title.alternativePropriétés optiques et thermodynamiques de points quantiques GaAs et Si 1-x GeX pour des applications dans le domaine de Térzhertzfr_FR

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