Propriétés de transport de GaAs - Contribution à l'étude des structures GaAs/(Ca, Sr)F₂ réalisées par épitaxie par jets moléculaires

Abstract

La technique d’épitaxie par jets moléculaires a été utilisée pour réaliser des structures GaAs/GaAs et GaAs/(Ca, Sr)F₂. Dans ce dernier cas, il s’agit d’un empilement monocristallin avec pratiquement accord des mailles entre le semiconducteur et le diélectrique. La technique expérimentale pour la caractérisation électrique de ces structures est celle de Van der Pauw, en utilisant le système automatique mis au point. On présente les résultats obtenus sur GaAs homoépitaxial, et les avantages apportés par l’utilisation d’une cellule rétractable pour l’évaporation de l’arsenic sont mis en évidence. En ce qui concerne les structures hétéroépitaxiales, les résultats expérimentaux portent sur la variation de la mobilité des porteurs en fonction de la concentration de ces derniers pour les types n (dopage Si) et p (dopage Be) et pour les orientations (100) et (111). Les profils de concentration et de mobilité des porteurs sont aussi présentés. Ces résultats sont comparés à ceux couramment obtenus sur GaAs homoépitaxial et sont analysés sur la base des effets électriques des dislocations présentes dans le semiconducteur.