Contribution à l'étude du silicium hyperdope obtenu par implantation et recuit par laser pulse : Application aux cellules solaires

Abstract

Une étude de quelques propriétés optiques et électriques est effectuée sur du silicium hyperdopé, obtenu par implantation ionique et recuit par laser pulsé de forte puissance, afin de séparer les effets dus au fort dopage de ceux résultant des défauts ou précipités. La distribution aléatoire des impuretés est montré influencer la réflectivité dans la région UV-visible alors que la concentration élevé de porteurs libres change la masse effective et le temps de relaxation des porteurs et modifie les specires Raman. Les propriétés photovoltaïques de ces cellules sont trouvées être limitées aussi bine par le coefficient d’adsorption élevé en surface, que par la présence de défauts électriquement actifs induits par les queues d’implantation et ceux relatifs au traitement laser.