Influence, origine et passivation de défauts cristallographiques dans du sillicium polycristallin

Abstract

Les propriétés électroniques du silicium polycristallin dépendent des densités de défauts et de leurs distributions. Les défauts les plus actifs sont les joints de grains et des défauts intragrains, comme les dislocations et les impuretés. Ce sont eux qui limitent la longueur de diffusion des porteurs minoritaires. Dans ce travail, nous avons mis en évidence l’influence des défauts sur les caractéristiques courant-tension de jonction N⁺-P. Nous avons établi l’existence d’une corrélation entre la valeur élevée des densités de dislocations, la décroissance des longueurs de diffusion des porteurs minoritaires, et des concentrations de carbone supérieures à la limite de solubilité. Nous avons montré qu’il est possible de réduire l’activité recombinante des défauts cristallographiques étendus par recuit prolongé du matériau sous flux d’hydrogène moléculaire ou par implantation d’hydrogène pendant quelques minutes.