Etude optique et électrique du silicium jusqu'à 18 GPA : Cristallogenèses et caractérisation des phases Si III et Si IV, Stables à l'ambiante

dc.contributor.authorMokhtari, El Hassane
dc.date.accessioned2008-12-24T12:14:48Z
dc.date.accessioned2025-12-09T14:14:25Z
dc.date.available2008-12-24T12:14:48Z
dc.date.issued1987-03-31
dc.description.collaboratorde Gennes, P.G. (Président)
dc.description.collaboratorBesson, J.M. (Examinateur)
dc.description.collaboratorGalecki, D. (Examinateur)
dc.description.collaboratorGonzalez, J. (Examinateur)
dc.description.collaboratorLeger, J.M. (Examinateur)
dc.description.collaboratorManeval, J.P. (Examinateur)
dc.format.extent19968 bytes
dc.format.mimetypeapplication/msword
dc.identifier.urihttps://toubkalpreprod.imist.ma/handle/123456789/2223
dc.language.isofren
dc.publisherUniversité Denis Diderot - Paris VII, Parisen
dc.subjectSciences des matériauxen
dc.subjectEtude optiqueen
dc.subjectEtude électriqueen
dc.subjectSiliciumen
dc.subjectCristallogenèseen
dc.subjectAmbianteen
dc.subjectPhysique des milieux condensées
dc.titleEtude optique et électrique du silicium jusqu'à 18 GPA : Cristallogenèses et caractérisation des phases Si III et Si IV, Stables à l'ambianteen

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