Détermination de la structure de bande expérimentale de InSe et MoSe₂ par des mesures de photoémission angulaire

Abstract

La dispersion expérimentale des bandes de valence de InSe et MOS₂ est obtenue par des mesures de photoémission angulaire. Nous avons établi l’origine théorique des deux modèles qui servent à l’interprétation des résultats de photoémission angulaire, à savoir le modèle des transitions directes et celui de la densité d’états à une dimension. La comparaison avec les calculs de bandes théoriques montre que les résultats obtenus sur InSe sont conformes au régime des transitions directes tandis que ceux obtenus sur MOS₂ s’expliquent par le modèle de la densité d’états à une dimension. Le recouvrement des bandes P et dZ₂ dans MOS₂ est mis en évidence et permet de trancher en faveur des calculs mettant en évidence cet effet.