Etude de l'interaction d'échange dans les semiconducteurs semimagnétiques à faible largeur de bande interdite

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Académie de Montpellier, Université Montpellier II des Sciences et Techniques du Languedoc, Montpellier

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Les premiers résultats expérimentaux concernant un nouveau SCSM : Pb₁₋xGdx Te sont reportés. La très grande mobilité relevée à basse température pour le cristal à faible concentration de Gd qui contredit à priori l’absence d’oscillation de S.d.H. est expliquée pour les effets d’écran liés à la grande constant diélectrique statique de PbTe. L’existence d’un champ magnétique du aux ions de gadolinium est invoqué pour élucider l’absence des oscillations. Dans Pb₁₋xMnxTe, le double train d’oscillation peut être interprété par la présence d’un niveau accepteur noyé dans la bande de conduction. L’aimantation de Hg₁₋xFeTe, déduite du facteur g*c est linéaire en champ magnétique et indépendante de la température est attribuée à un paramagnétisme de Van Vleck lié au fer.

Description

Keywords

Milieux denses, Matériaux, Semiconducteur semimagnétique, Interaction d'échange, Ferromagnétisme faible, Antiferromagnétisme, Paramagnétisme de Van Vleck, Pb₁-xGdxTe

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