Etude de l'effet polaronique sur la section efficace de photoionisation des impuretés dans les semiconducteurs massifs et les structures de faibles dimensions

Abstract

Le présent travail est consacré à l’étude de la section efficace de photoionisation en fonction de l’énergie d’excitation dans les semiconducteurs massifs et faibles dimensions. Dans les systèmes tridimensionnels, nous avons en particulier évalué l’effet de l’anisotropie de masse, l’effet de la nature chimique de l’impureté, l’effet du champ électrique et l’effet de l’interaction de l’électron avec les phonons optiques longitudinaux (LO) sur l’énergie d’ionisation de l’impureté et la section efficace de photoionisation. Dans le cadre de l’approximation de masse effective, nous avons également évalué l’effet des phonons LO sur l’énergie de liaison et la section efficace de photoionisation dépendante de l’énergie du photon en fonction des dimensions du puits d’une impureté peu profonde dans les structures à puits quantique et les structures en fil quantique.