Méthodes de résolution de l'équation de Boltzmann en régime de porteurs chauds dans les semiconducteurs composés III-V

Abstract

L’équation de Boltzmann a été résolue par différentes méthodes dans l’InP et l’AsGa sous différentes contraintes. La première méthode est basée sur la résolution de l’équation de Boltzmann par la simulation de Monte-Carlo à pas constant. Elle a permis d’obtenir les paramètres de transport du premier et du second ordre en régime transitoire et stationnaire. Il a été donné une comparaison entre les résultats théoriques et expérimentaux. La deuxième méthode consiste à résoudre l’équation de Boltzmann par la méthode matricielle. Elle permet d’obtenir les distributions, les vitesses, les énergies, les coefficients de repopulations dans différentes vallées. Une troisième méthode itérative permet de calculer la mobilité ohmique d’une manière rapide et très précise à différentes températures et pour différentes concentrations en impuretés ionisées. La dernière partie est consacrée à la mise en œuvre d’une nouvelle méthode de résolution des équations de Boltzmann couplées. Elle consiste à résoudre successivement l’équation de Boltzmann pour les phonons et l’équation de Boltzmann pour les électrons. Elle a permis de déterminer les distributions des phonons chauds et d’étudier leurs effets sur les électrons.