Structures fluorures - InP « Dépôts sous vide et fluoruration »

Abstract

Le travail présenté dans cette thèse porte sur des essais de passivation d’InP soit par sublimation thermique sous vide d’un fluorure du groupe II.A, soit par oxydation sous fluor d’InP. Différentes techniques expérimentales sont utilisées pour caractériser les couches passivantes et l’interface semiconducteur-diélectrique ainsi obtenus : Diffraction X, RBS, ESCA, Spectroscopie IR, Spectroscopie d’admittance, C-V … Parallèlement cet ouvrage présente, en annexe, la mise au point au laboratoire de la technique d’étude des niveaux profonds connue sous le nom de D.L.T.S.