Mise au point d'un appareillage de mesure de l'indice de réfraction des semiconducteurs III-V au voisinage du Gap

Abstract

Ce travail concerne la mise en place d’un appareillage automatisé permettant la mesure de la partie réelle de l’indice optique des semiconducteurs III-V dans la gamme de longueur d’onde comprise entre 0,5µm et 2,5 µm. La méthode utilisée est basée sur la mesure du pouvoir réflecteur d’un échantillon en fonction de l’angle d’incidence d’une onde plane monochromatique polarisée p ou s. L’appareillage a été testé sur des semiconducteurs III-V. L’ensemble des résultats, en bon accord avec des résultats antérieurs, est confronté à des modèles théoriques. La précision de la méthode est estimée à 0,1%.