Etude de structures MS et MIS-(n)InP par photoluminescence - Effet du champ électrique -

Abstract

Le phosphure d’indium (InP) est un semiconducteur composé III-V très attractif pour des applications dans les domaines de l’optoélectronique, des hyperfréquences et aussi pour la fabrication de circuits intégrés rapides. Ceci explique l’intense activité de recherche qui s’est développée autour de ce composé. Le travail présenté dans ce mémoire concerne l’étude par photoluminescence, en présence d’un cham électrique, de structures métal/semiconducteur (MS) et métal/isolant/semiconducteur (MIS). Des diodes Schottky et Schottky oxydées ont été étudiées. La comparaison des caractéristiques de ces deux structures montre que l’oxydation s’accompagne de l’introduction d’états de surface ou d’interface. Ces défauts peuvent-être à l’origine d’un blocage au moins partiel du niveau de Fermi à la surface. En particulier, pour les structures oxydées dans un plasma multipolaire d’oxygène ; les mesures de photoluminescence permettent de montrer que la hauteur de la barrière Schottky déduite de la caractéristique courant-tension doit-être considérée comme une barrière apparente. Sur des structures MIS où l’isolant est un oxyde plasma RF, une étude détaillée de l’intensité de photoluminescence en deplétion montre que la vitesse de recombinaison en surface est faible. Pour décrire l’évolution de l’intensité de photoluminescence Ip(Vg) en régime d’accumulation, un modèle est proposé et discuté. Enfin une étude préliminaire sur des structures métal/BN/InP est présentée.