Caractérisation des défauts ponctuels dans CdTe type n et p

Abstract

Dans n-CdTe, brut de croissance, cinq pièges à électrons E₁, E₂, E₃, E’₃, E₄ sont caractérisés par DLTS et DLOS. Leur particularité est la faible section de capture, ∼10⁻²⁰cm2. La comparaison de l’énergie d’activation apparente et du seuil de la transition optique "niveau - BC" permet de proposer des diagrammes de coordonnées de configuration, sous réserve pour E₂ et E₃, solidement établi pour E₄ dont la transition complémentaire "BV - E₄" a été observée. Sur des échantillons de p-CdTe bruts de croissance ou dopés au cuivre, des résultats de spectroscopie d’admittance (SA) et photoluminescence (PL) sont présentés et discutés. Un niveau accepteur à Ev+250 meV commande des phénomènes de transport dans les échantillons dopés au Cu. Il coexiste systématiquement avec une transition radiative A₁CU à 1,5896 eV attribuée à un exciton lié à un accepteur. Après recuit, la raie A₁CU s’élargit en une bande attribuée à des excitons liés à des paires d’accepteurs. Une analyse semi-empirique de cette bande de PL suggère 250 meV pour le niveau accepteur impliqué dans la raie A₁CU.