Nouveaux matériaux à base de bismuth III : Structures et propriétés électriques

Abstract

L’étude du système Bi2O3-CdF2-CdO a permis de mettre en évidence outre deux composés définis Bi2CdO4 et Cd4F6O, cinq phases non-stoechiométriques I, F, H, γ et ε : -Phase I : de symétrie cubique type anti-α-AgI, son domaine d’existence s’étend assez largement dans le système ternaire. -Phase (F , QF) : cette solution solide, cubique désordonnée de type fluorine dans un large domaine (F) présente pour les compositions riches en bismuth une distorsion quadratique. -Phase H : de symétrie trigonale (P3m1), cette phase possède un domaine d’existence restreint. -Phase γ : limitée au binaire Bi2O3-CdO cette solution solide appartient à la famille des phases de type sillénite. -Phase ε : cette phase appartient au pseudo-binaire Bi2O3-CdF2. de symétrie rhomboédrique, sa structure à été précisée par diffraction neutronique en temps de vol. Au sein du système Bi2O3-PbO-Sb2O5 une phase non stoechiométrique Bi3(1-x)Pb2xSb1+xO7 de symétrie monoclinique et une phase ponctuelle Bi3Pb4Sb5O21 ont été identifiées. La structure de Bi3Pb4Sb5O21 a été déterminée par diffraction neuronique et les relations avec les structures fluorine et pyrochlore ont été analysées. La conductivité des phases I, F et ε a été étudiée. Les caractéristiques diélectriques de Bi3Pb4Sb5O21 ont été déterminées en fonction de la température de frittage, du taux d’ajout et du taux de densification du matériau.