Interface métal - InP (110) clivé : Modulation des effets induits du métal par la température de semiconducteur, par une couche intercalaire d'In ou de Sb et par l'oxygène

Abstract

Ce travail a pour objet l’étude de la contribution de l’ordre et de la réactivité à la formation de l’interface d’une structure métal-InP. La première partie est consacrée aux propriétés électroniques de la surface InP (110) clivée à la température ambiante et à 100°K et à son interaction avec de faibles quantités de Ag, Al, In, Sb ou O₂. On s’attache ensuite à l’étude des diodes Schottky réalisées sur ces surfaces et aux effets induits sur leurs propriétés par des couches intercalaires d’InP ou de Sb ou par O₂. Les résultats obtenus sont étudiés en s’appuyant sur une modèle à 2 états (qui peuvent être répartis sur quelques monocouches de profondeur dans le semiconducteur) et en termes de morphologie de croissance d’une couche métallique (ilots, uniformité de la couche).