Utilisation du modèle exponentiel de mobilité effective pour la caractérisation de la rugosité de surface et des résistances séries dans les transistors MOS à canal très court

Toubkal : Le Catalogue National des Thèses et Mémoires

dc.contributor.author	El Abbassi, Ahmed
dc.description.collaborator	Sidki, M. (Président)
dc.description.collaborator	Raïs, K. (Directeur de la thèe)
dc.description.collaborator	Belahrach, H. (Rapporteur)
dc.description.collaborator	Bendada, E. (Rapporteur)
dc.description.collaborator	Belattar, S. (Rapporteur)
dc.description.collaborator	Rmaily, R. (Examinateur)
dc.date.accessioned	2010-05-20T10:47:24Z
dc.date.available	2010-05-20T10:47:24Z
dc.date.issued	2002-07-13
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/123456789/5915
dc.format.extent	26112 bytes
dc.format.mimetype	application/msword
dc.language.iso	fr	en
dc.publisher	Université Chouaib Doukkali, Faculté des Sciences, El Jadida	en
dc.relation.ispartofseries	Th-537/ABB
dc.subject	Sciences physiques	en
dc.subject	Microélectronique	en
dc.subject	Modèle exponentiel	en
dc.subject	Mobilité effective	en
dc.subject	Rugosité de surface	en
dc.subject	Transistor MOS	en
dc.title	Utilisation du modèle exponentiel de mobilité effective pour la caractérisation de la rugosité de surface et des résistances séries dans les transistors MOS à canal très court	en
dc.description.laboratoire	Caractérisation des Composants à semi-conducteurs, (LAB.)

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