Utilisation du modèle exponentiel de mobilité effective pour la caractérisation de la rugosité de surface et des résistances séries dans les transistors MOS à canal très court

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Utilisation du modèle exponentiel de mobilité effective pour la caractérisation de la rugosité de surface et des résistances séries dans les transistors MOS à canal très court

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Title: Utilisation du modèle exponentiel de mobilité effective pour la caractérisation de la rugosité de surface et des résistances séries dans les transistors MOS à canal très court
Author: El Abbassi, Ahmed
Date: 2002-07-13

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