Etude de l'interaction d'échange dans les semiconducteurs semimagnétiques à faible largeur de bande interdite - Ibnouelghazi, Elalami (Académie de Montpellier, Université Montpellier II des Sciences et Techniques du Languedoc, Montpellier, 1986)
Les premiers résultats expérimentaux concernant un nouveau SCSM : Pb₁₋xGdx Te sont reportés. La très grande mobilité relevée à basse température pour le cristal à faible concentration de Gd qui contredit à priori l’absence d’oscillation de S.d.H. est expliquée pour les effets d’écran liés à la grande constant diélectrique statique de PbTe. L’existence d’un champ magnétique du aux ions de gadolinium est invoqué pour élucider l’absence des oscillations. Dans Pb₁₋xMnxTe, le double train d’oscillation peut être interprété par la présence d’un niveau accepteur noyé dans la bande de conduction. L’aimantation de Hg₁₋xFeTe, déduite du facteur g*c est linéaire en champ magnétique et indépendante de la température est attribuée à un paramagnétisme de Van Vleck lié au fer.
Keywords: Milieux denses; Matériaux; Semiconducteur semimagnétique; Interaction d'échange; Ferromagnétisme faible; Antiferromagnétisme; Paramagnétisme de Van Vleck; Pb₁-xGdxTe