Effets de l'anisotropie sur la résonance dipolaire électrique de spin dans les semi-conducteurs

Abstract

Cette thèse est consacrée à l’étude des propriétés magnéto-optiques des semiconducteurs pour lesquels nous avons développé un modèle théorique général qui nous permet de nous rendre compte des mesures de transition optique avec retournement de spin. Dans ce modèle, nous avons introduit l’effet de l’anisotrope des rayons de Boher effectifs qui est liée à celle de la masse effective. Cette forme d’anisotropie signifie une modification de l’enveloppe électronique de porteur de charge placé dans un champ magnétique extérieur. En adoptant cette forme d’anisotropie et en utilisant la théorie de perturbation, nous avons calculé les expressions analytiques du facteur de Landé effectif et du coefficient d’adsorption intégré correspondant aux transitions résonnantes de spin et ceci pour les structures cubique et hexagonale. Une application des modèles précités est réalisée sur les cristaux de InSb et Cd₁₋x Mnx Se (x = 0.1) qui possèdent respectivement les strucures Zinc-blende (Td) et Wurtzite (C₆v). Une confrontation aux mesures de résonance paramagnétique effectuées dans la configuration de Faraday sur le cristal Cd₀.₉ Mn₀.₁ Se nous a conduits aux paramètres physiques caractérisant le couplage spin-orbite, les rayons de Bohr effectifs et l’anisotropie des rayons orbitaux des donneurs responsables de ces transitions.