Toubkal : Le Catalogue National des Thèses et Mémoires
Etude de l'interaction d'échange dans les semiconducteurs semimagnétiques à faible largeur de bande interdite
| dc.contributor.author | Ibnouelghazi, Elalami | |
| dc.description.collaborator | Calas, J. (Président) | |
| dc.description.collaborator | Averous, M. (Jury) | |
| dc.description.collaborator | Lombos, B.A. (Jury) | |
| dc.description.collaborator | Lascaray, J.P. (Jury) | |
| dc.date.accessioned | 2009-05-18T10:05:00Z | |
| dc.date.available | 2009-05-18T10:05:00Z | |
| dc.date.issued | 1986-07-22 | |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/123456789/2989 | |
| dc.description.abstract | Les premiers résultats expérimentaux concernant un nouveau SCSM : Pb₁₋xGdx Te sont reportés. La très grande mobilité relevée à basse température pour le cristal à faible concentration de Gd qui contredit à priori l’absence d’oscillation de S.d.H. est expliquée pour les effets d’écran liés à la grande constant diélectrique statique de PbTe. L’existence d’un champ magnétique du aux ions de gadolinium est invoqué pour élucider l’absence des oscillations. Dans Pb₁₋xMnxTe, le double train d’oscillation peut être interprété par la présence d’un niveau accepteur noyé dans la bande de conduction. L’aimantation de Hg₁₋xFeTe, déduite du facteur g*c est linéaire en champ magnétique et indépendante de la température est attribuée à un paramagnétisme de Van Vleck lié au fer. | en |
| dc.format.extent | 19968 bytes | |
| dc.format.mimetype | application/msword | |
| dc.language.iso | fr | en |
| dc.publisher | Académie de Montpellier, Université Montpellier II des Sciences et Techniques du Languedoc, Montpellier | en |
| dc.subject | Milieux denses | en |
| dc.subject | Matériaux | en |
| dc.subject | Semiconducteur semimagnétique | en |
| dc.subject | Interaction d'échange | en |
| dc.subject | Ferromagnétisme faible | en |
| dc.subject | Antiferromagnétisme | en |
| dc.subject | Paramagnétisme de Van Vleck | en |
| dc.subject | Pb₁-xGdxTe | en |
| dc.title | Etude de l'interaction d'échange dans les semiconducteurs semimagnétiques à faible largeur de bande interdite | en |
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France [1868]