Passivation de InP pour transistor misfet : Sulfuration thermique basse température et réalisation d'une stucture bicouche silice/sulfure/InP

Abstract

Des plaquettes monocristallines de phosphure d’indium (100) sont sulfurées par voie thermique basse pression – basse température sous tension de vapeur de soufre. La couche de sulfure obtenue à partir du substrat est caractérisée par ellipsométrie, microscopie électronique à balayage, photoémission X ellipsométrie spectroscopique et réflectométrie de rayons X rasants permettant ainsi la détermination de son épaisseur, sa composition, sa morphologie et es rugosités d’interfaces et de surface. Le système bicouche silice/sulfure/InP a été aussi bien à partir d’un sulfure thermique que plasma et les paramètres contrôlant le dépôt de la silice par C.V.D plasma indirect ont été définis. Après réalisation de structures MIS avec les différentes couches élaborées (sulfure/InP, silice/InP et silice/sulfure/InP) une analyse électrique effectuée (mesures courant-tension et capacité-tension) renseigne sur les charges électriques dans l’isolant et sur la densité des états d’interface.